浮閘極金屬氧化物半導體電晶體(Floati- ng-gate MOS transistor，簡稱FGT)在低功率 的應用上扮演重要的角色。在這篇文章中我們 提出一個量測系統， 它能即時的量測FGT的最 低導通電壓(threshold voltage);此量測系統 包括解碼器、類比多工器、門限電壓測量區塊 、A/D轉換器及32位元的ARM。由於使用迴授技 術的緣故， FGT的最低導通電壓能被準確地量 測出來。
